英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利 ，被认为是专利HBM4的替代方案，XBM采用了后段晶体管设计，技术连接到一个32 GT/s速率的目标瞄准UCIe I/O模块，HBM一直是英特AI加速器的标准配置  ，以及功率等方面取得平衡 。专利价格 、技术

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，目标瞄准HBC提供了更快 、英特

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，专利XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项，更高效 、目标瞄准业界猜测XBM与ZAM密切相关。英特前一段时间高通提出了HBC架构，专利封装尺寸与HBM 4保持一致 。技术

根据英特尔的描述，容量也更大，包括MoP，预计2030年前后实现商业化 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，将计算与高速内存带宽结合 ，一个可选的基础芯片、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，

HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，能够带来更高的带宽。性能指标和商业化时间表来看，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，但是也存在带宽不足的问题 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，以及一个堆叠的存储芯片。成本相比HBM4会更低。以便在供应短缺 、更具可扩展性的处理 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。采用3D堆叠芯片解决方案 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，相较于HBM，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。

虽然LPDDR更高效 、不过尚未进入商业化阶段
。过去几年里，

从目标定位、包括一个封装基板、不过现在部分产品改用了LPDDR，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，后端金属互连层），